خسرو شکیبایی مرد.  واقعن از شنیدن خبر متاسف شدم.

او، در کارهایی که من دیدم، پیش از آنکه احساس هنری یا نقادانه مرا برانگیزد، دوستی مرا به خود جلب می­کرد. از این بابت همیشه او را تحسین می­کنم.

یادش گرامی باد.

خیلی وقته که می­خوام در مورد گرافن­ها بنویسم، امروز تونستم این کار را بکنم. به اندازه اطلاعات عمومی بیشتر نیست، اما امیدوارم جالب باشه. بیشتر مطالب را از اینجا ترجمه کردم.

گرافن اصلاحی هست که به نوارهای بسیار نازکی از تک لایه­های گرافیت گفته می­شود. ویژگی­های الکتریکی گرافن­ها بسیار شبیه نانوتیوب­های کربنی هست (در واقع هر نانولوله­ی کربنی یک گرافن رول شده است). گرافن­ها از خواص رسانشی فوق العاده­ای برخوردارن و به همین دلیل نامزد نسل آینده­ی ترانزیستورهای سرعت بالا هستند.

در مقابل سیلیکون - که ماده مصرفی کنونی در مدارهای الکتریکی هستند- گرافن یک ضعف بزرگ دارد. در سیلیکون کلید روشن و خاموش (رسانش و عدم رسانش در جهات مختلف) بسیار دقیق عمل می­کند، یعنی مقدار رسانش آن در حالت روشن، نسبت به خاموش آن بالاست. در گرافن­ها اما این نسبت پایین است. یعنی در وضعیت خاموش هم ساختار گرافن مقدار قابل توجهی جریان را از خودش عبور می­دهد. این نسبت حدود 30 به 1 برای گرافن است. اولین و ساده­ترین اثری که این پدیده می­تواند داشته باشد این است که نسبت پارازیت به سیگنال و اتلاف انرژی در مدارها بالا برود تا حدی که استفاده از گرافن به صرفه نباشد.

این نسبت در رسانش گرافن­ها را می­توان با کاهش عرض گرافن­ها تا ابعاد نانومتری بالا برد. یکی از آخرین تلاش­هایی که برای این کار انجام شده بسیار جالب هست که توسط پروفسور دای Dai از دانشگاه استنفورد ارایه شده است. او مولکول­های اسید نیتریک و سولفوریک را به روش شیمیایی در بین ساختار یک ذره  (flake) کربنی نشاند. سپس این سیستم را با نرخ حرارتی بالا گرم کرد. طی این گرمایش مولکول­های اسید بخار می­شوند و ساختار ذره کربنی نیز از هم متلاشی می­شود، درست مثل یک انفجار در ابعاد کوچک. نتایج این روش خیلی جالب توجه است. گرافن ها با طول چند میکرومتر و عرض کمتر از ده نانومتر به دست آمده­اند. نسبت رسانش آنها نیز به 100000 رسیده است.

 تصویر زیر مربوط به یک صفحه گرافن اشباع شده با اتم های هیدروژن هست.